制造商产品型号： FQD10N20CTM
类别 分立半导体产品晶体管
FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商 onsemi
系列 QFET®
包装 卷带（TR）
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 26 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 510 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号 FQD10N20
